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簡要描述:SVF7N65F士蘭微一級代理商SVF7N65FT是N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子F-CELL平面高壓VDMOS工藝技術(shù)制造.良好的工藝及條狀的原胞設(shè)計結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、*的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量.
SVF7N65F士蘭微一級代理商
SVF7N65FT是N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管采用士蘭微電子F-CELL平面高壓VDMOS工藝技術(shù)制造.良好的工藝及條狀的原胞設(shè)計結(jié)構(gòu)使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻、*的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量.
SVF7N65FT可廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源,DC-DC電源轉(zhuǎn)換器,高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動等方面.
SVF7N65FT的特點(diǎn):
SVF7N65FT 7A,650V,Rds(on)(典型值)=1.1歐@Vgs=10V
SVF7N65FT低柵極電荷量
SVF7N65FT低反向傳輸電容
SVF7N65FT開關(guān)速度快
SVF7N65FT提升了DV/DT能力
SVF7N65FT前輟尾輟命名規(guī)則:
SVF7N65FT的分類:
SVF7N65FT的極限參數(shù)(除非特殊說明,Tc=25℃):
SVF7N65FT熱阻特性:
SVF7N65FT電性參數(shù)(除非特殊說明,Tc=25℃):
SVF7N65FT源-漏二極管特性參數(shù):
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